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S70FL01GSAGBHNC10

更新时间： 2024-11-20 19:31:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 1891K
描述
Flash, 128MX8, PBGA24, BGA-24

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S70FL01GSAGBHNC10 技术参数

生命周期：Active包装说明：TBGA,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.71
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzJESD-30 代码：R-PBGA-B24
长度：8 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：24
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：SERIAL编程电压：3 V
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
类型：NOR TYPE宽度：6 mm
Base Number Matches：1

S70FL01GSAGBHNC10 数据手册

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S70FL01GS  
1 Gbit (128 Mbyte) 3.0V SPI Flash  
Features  
CMOS 3.0V Core  
Security Features  
Serial Peripheral Interface (SPI) with Multi-I/O  
– SPI Clock polarity and phase modes 0 and 3  
– Double Data Rate (DDR) option  
One Time Program (OTP) array of 1024 bytes  
Block Protection  
– Status Register bits to control protection against program  
or erase of a contiguous range of sectors.  
– Hardware and software control options  
– Advanced Sector Protection (ASP)  
– Individual sector protection controlled by boot code or  
password  
– Extended Addressing: 32-bit address  
– Serial Command set and footprint compatible with  
S25FL-A, S25FL-K, and S25FL-P SPI families  
– Multi I/O Command set and footprint compatible with  
S25FL-P SPI family  
Cypress® 65 nm MirrorBit® Technology with Eclipse  
READ Commands  
– Normal, Fast, Dual, Quad, Fast DDR, Dual DDR, Quad  
Architecture  
DDR  
Core Supply Voltage: 2.7V to 3.6V  
I/O Supply Voltage: 1.65V to 3.6V  
Temperature Range / Grade:  
– AutoBoot – power up or reset and execute a Normal or  
Quad read command automatically at a preselected  
address  
– Common Flash Interface (CFI) data for configuration  
information  
– Industrial (40 °C to +85 °C)  
– Industrial Plus (40 °C to +105 °C)  
– Extended (40 °C to +125 °C)  
Programming (1.5 Mbytes/s)  
– 512-byte Page Programming buffer  
– Quad-Input Page Programming (QPP) for slow clock  
systems  
– Automotive, AEC-Q100 Grade 3 (40 °C to +85 °C)  
– Automotive, AEC-Q100 Grade 2 (40 °C to +105 °C)  
– Automotive, AEC-Q100 Grade 1 (40 °C to +125 °C)  
Packages (all Pb-free)  
Erase (0.5 Mbytes/s)  
– Uniform 256-kbyte sectors  
Cycling Endurance  
– 100,000 Program-Erase Cycles  
Data Retention  
– 16-lead SOIC (300 mils)  
– BGA-24, 8 6 mm  
– 5 5 ball (FAB024) footprint  
– 20 Year Data Retention  
General Description  
This document contains information for the S70FL01GS device, which is a dual die stack of two S25FL512S die. For detailed  
specifications, refer to the discrete die datasheet provided in Table 1.  
Table 1. Affected Documents/Related Documents  
Document Title  
Publication Number  
S25FL512S 512 Mbit (64 Mbyte) 3.0V SPI Flash Memory Datasheet  
001-98284  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-98295 Rev. *J  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised December 02, 2016  
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