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S70FL01GSAGMFI010

更新时间： 2024-11-20 19:55:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 345K
描述
Flash, 1GX1, PDSO16, SOIC-16

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S70FL01GSAGMFI010 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP, SOP16,.4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：2.11
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz数据保留时间-最小值：100
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G16
长度：10.3 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：1
功能数量：1端子数量：16
字数：1073741824 words字数代码：1000000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1GX1
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP16,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.0002 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：7.5 mm写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

S70FL01GSAGMFI010 数据手册

 浏览型号S70FL01GSAGMFI010的Datasheet PDF文件第2页浏览型号S70FL01GSAGMFI010的Datasheet PDF文件第3页浏览型号S70FL01GSAGMFI010的Datasheet PDF文件第4页浏览型号S70FL01GSAGMFI010的Datasheet PDF文件第5页浏览型号S70FL01GSAGMFI010的Datasheet PDF文件第6页浏览型号S70FL01GSAGMFI010的Datasheet PDF文件第7页 
S70FL01GS  
1 Gbit (128 Mbyte) 3.0V SPI Flash  
Features  
CMOS 3.0V Core  
Security Features  
Serial Peripheral Interface (SPI) with Multi-I/O  
– SPI Clock polarity and phase modes 0 and 3  
– Double Data Rate (DDR) option  
One Time Program (OTP) array of 2048 bytes  
Block Protection  
– Status Register bits to control protection against program  
or erase of a contiguous range of sectors.  
– Hardware and software control options  
– Advanced Sector Protection (ASP)  
– Individual sector protection controlled by boot code or  
password  
– Extended Addressing: 32-bit address  
– Serial Command set and footprint compatible with  
S25FL-A, S25FL-K, and S25FL-P SPI families  
– Multi I/O Command set and footprint compatible with  
S25FL-P SPI family  
Cypress® 65 nm MirrorBit® Technology with Eclipse  
READ Commands  
– Normal, Fast, Dual, Quad, Fast DDR, Dual DDR, Quad  
Architecture  
DDR  
Core Supply Voltage: 2.7V to 3.6V  
I/O Supply Voltage: 1.65V to 3.6V  
Temperature Range / Grade:  
– AutoBoot – power up or reset and execute a Normal or  
Quad read command automatically at a preselected  
address  
– Common Flash Interface (CFI) data for configuration  
information  
– Industrial (40 °C to +85 °C)  
– Industrial Plus (40 °C to +105 °C)  
– Automotive, AEC-Q100 Grade 3 (40 °C to +85 °C)  
– Automotive, AEC-Q100 Grade 2 (40 °C to +105 °C)  
– Automotive, AEC-Q100 Grade 1 (40 °C to +125 °C)  
Packages (all Pb-free)  
Programming (1.5 Mbytes/s)  
– 512-byte Page Programming buffer  
– Quad-Input Page Programming (QPP) for slow clock  
systems  
– 16-lead SOIC (300 mils)  
– BGA-24, 8 6 mm  
Erase (0.5 Mbytes/s)  
– Uniform 256-kbyte sectors  
Cycling Endurance  
– 5 5 ball (ZSA024) footprint  
– 100,000 Program-Erase Cycles, minimum  
Data Retention  
– 20 Year Data Retention, minimum  
General Description  
This document contains information for the S70FL01GS device, which is a dual die stack of two S25FL512S die. For detailed  
specifications, refer to the discrete die datasheet provided in the Affected Documents/Related Documents table.  
Affected Documents/Related Documents  
Document Title  
Publication Number  
S25FL512S 512 Mbit (64 Mbyte) 3.0V SPI Flash Memory Datasheet  
001-98284  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-98295 Rev. *M  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised June 23, 2017  
 
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S70FL01GSAGMFI011 SPANSION

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