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S6X8ESAP PDF预览

S6X8ESAP

更新时间： 2024-09-16 19:57:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 1465K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-92, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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S6X8ESAP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.6
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：75 V/us最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：5 mA
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.5 mA
通态非重复峰值电流：10 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：800 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：0.8 A
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

S6X8ESAP 数据手册

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Thyristors  
EV Series 0.8 Amp Sensitive SCRs  
RoHS  
SxX8xSx EV Series  
Description  
This new component series offers high static dv/dt and  
low turn off time (tq) sensitive SCR with its small die  
planar construction design. It is specifically designed for  
GFCI (Ground Fault Circuit Interrupter) and Gas Ignition  
applications. All SCRs junctions are glass-passivated to  
ensure long term reliability and parametric stability.  
Features  
• RoHS compliant and  
Halogen-Free  
• High dv/dt noise immunity  
• Improved turn-off time (tq)  
< 25 μsec  
•Thru-hole and surface  
mount packages  
• Sensitive gate for direct  
microprocessor interface  
• Surge current  
Main Features  
capability > 10Amps  
Symbol  
Value  
Unit  
A
• Blocking voltage  
( VDRM / VRRM  
)
IT(RMS)  
0.8  
capability - up to 800V  
VDRM / VRRM  
IGT  
400, 600, or 800  
5 to 200  
V
μA  
Schematic Symbol  
A
Applications  
The SxX8xSx EV series is specifically designed for  
GFCI (Ground Fault Circuit Interrupter) and gas ignition  
applications.  
G
K
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
TO-92  
TC = 55°C  
0.8  
0.8  
A
A
IT(RMS)  
RMS on-state current (full sine wave)  
Average on-state current  
TC = 60°C  
TL = 60°C  
TC = 55°C  
TC = 60°C  
TL = 60°C  
F= 50Hz  
0.8  
A
0.51  
0.51  
0.51  
8
A
IT(AV)  
SOT-89  
SOT-223  
A
A
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
A
Non repetitive surge peak on-state current  
(Single cycle, TJ initial = 25°C)  
ITSM  
I2t  
F= 60Hz  
10  
A
tp = 10 ms  
tp = 8.3 ms  
F = 50 Hz  
F = 60 Hz  
0.32  
0.41  
A2s  
A2s  
I2t Value for fusing  
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
di/dt  
Critical rate of rise of on-state current IG = 10mA  
TJ = 125°C  
50  
A/µs  
IGM  
PG(AV)  
Tstg  
TJ  
Peak Gate Current  
tp = 10 μs  
TJ = 125°C  
1.0  
A
Average gate power dissipation  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
—
—
—
TJ = 125°C  
0.1  
W
°C  
°C  
—
—
-40 to 150  
-40 to 125  
© 2018 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
Revised: 12/05/18  
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S6X8ESAP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
S6X8ES LITTELFUSE

完全替代

 EV Series 0.8A Sensitive SCR

与S6X8ESAP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S6X8TS LITTELFUSE

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 		EV Series 0.8A Sensitive SCR
S6X8TS1 LITTELFUSE

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 		EV Series 0.8A Sensitive SCR
S6X8TS1RP LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elemen
S6X8TS2 LITTELFUSE

获取价格

 		EV Series 0.8A Sensitive SCR
S6X8TS2RP LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elemen
S6X8TS3RP LITTELFUSE

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 		功能与特色: 应用:  
S6X8TSRP LITTELFUSE

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