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S34ML04G200BHI000

更新时间： 2024-11-21 20:10:07

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
71页	2106K
描述
Flash, 512MX8, 25ns, PBGA63, BGA-63

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S34ML04G200BHI000 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	BGA-63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	3.37	Samacsys Description：	CYPRESS SEMICONDUCTOR - S34ML04G200BHI000.. - MEMORY, FLASH, 4GBIT, 63BGA
最长访问时间：	25 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e1	长度：	11 mm
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	4K
端子数量：	63	字数：	536870912 words
字数代码：	512000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA63,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：	2K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	NO
类型：	SLC NAND TYPE	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

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S34ML01G2

S34ML02G2

S34ML04G2

1 Gb, 2 Gb, 4 Gb, 3 V, 4-bit ECC, SLC

NAND Flash Memory for Embedded

Distinctive Characteristics

■ Density

❐ Device Size

• 1 Gb: 1 plane per device or 128 Mbyte

• 2 Gb: 2 planes per device or 256 Mbyte

• 4 Gb: 2 planes per device or 512 Mbyte

❐ 1 Gb / 2 Gb / 4 Gb

■ Architecture

❐ Input / Output Bus Width: 8 bits / 16 bits

❐ Page size:

■ NAND Flash interface

• ×8:

❐ Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 compliant

❐ Address, Data, and Commands multiplexed

1 Gb: (2048 + 64) bytes; 64-byte spare area

2 Gb / 4 Gb: (2048 + 128) bytes; 128-byte spare area

• ×16:

■ Supply Voltage

❐ 3.3-V device: V_CC= 2.7 V ~ 3.6 V

1 Gb: (1024 + 32) words; 32-word spare area

2 Gb / 4 Gb (1024 + 64) words; 64-word spare area

■ Security

❐ Block size: 64 Pages

• ×8:

1 Gb: 128 KB+ 4 KB

2 Gb / 4 Gb: 128 KB + 8 KB

• ×16

1 Gb: 64k + 2k words

2 Gb / 4 Gb: 64k + 4k words

❐ Plane size

❐ One Time Programmable (OTP) area

❐ Serial number (unique ID) (Contact factory for support)

❐ Hardware program/erase disabled during power transition

■ Additional features

❐ 2 Gb and 4 Gb parts support Multiplane Program and Erase

commands

❐ Supports Copy Back Program

❐ 2 Gb and 4 Gb parts support Multiplane Copy Back Program

❐ Supports Read Cache

• ×8

1 Gb: 1024 blocks per plane or (128 MB + 4 MB

2 Gb: 1024 blocks per plane or (128 MB + 8 MB

4 Gb: 2048 blocks per plane or (256 MB + 16 MB

■ Electronic signature

❐ Manufacturer ID: 01h

• ×16

■ Operating temperature

❐ Industrial: –40 °C to 85 °C

❐ Industrial Plus: –40 °C to 105 °C

1 Gb: 1024 blocks per plane or (64M + 2M) words

2 Gb: 1024 Blocks per Plane or (64M + 4M) words

4 Gb: 2048 Blocks per Plane or (128M + 8M) words

Performance

■ Page Read / Program

❐ 10 Year Data retention (Typ)

❐ For one plane structure (1-Gb density)

• Block zero is valid and will be valid for at least 1,000 pro-

gram-erase cycles with ECC

❐ Random access: 25 µs (Max) (S34ML01G2)

❐ Random access: 30 µs (Max) (S34ML02G2, S34ML04G2)

❐ Sequential access: 25 ns (Min)

❐ For two plane structures (2-Gb and 4-Gb densities)

• Blocks zero and one are valid and will be valid for at least

1,000 program-erase cycles with ECC

❐ Program time / Multiplane Program time: 300 µs (Typ)

■ Block Erase (S34ML01G2)

❐ Block Erase time: 3 ms (Typ)

■ Package options

❐ Pb-free and low halogen

❐ 48-Pin TSOP 12 × 20 × 1.2 mm

❐ 63-Ball BGA 9 × 11 × 1 mm

■ Block Erase / Multiplane Erase (S34ML02G2, S34ML04G2)

❐ Block Erase time: 3.5 ms (Typ)

■ Reliability

❐ 100,000 Program / Erase cycles (Typ)

(with 4-bit ECC per 528 bytes (×8) or 264 words (×16))

❐ 67-Ball BGA 8 × 6.5 × 1 mm (S34ML01G2, S34ML02G2)

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 002-00499 Rev. *P

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised December 21, 2017

12 3 4 5 6 7...71

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与S34ML04G200BHI000相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S34ML04G200BHI900	CYPRESS	获取价格	Flash
S34MS01G1	CYPRESS	获取价格	1-bit ECC, x8 and x16 I/O, 1.8V VCC SLC NAND Flash for Embedded
S34MS01G100	CYPRESS	获取价格	1-Bit ECC
S34MS01G104	CYPRESS	获取价格	1-Bit ECC
S34MS01G2	CYPRESS	获取价格	1 Gbit/2 Gbit/4 Gbit SLC NAND Flash for Embedded
S34MS01G200BHI903	CYPRESS	获取价格	Flash
S34MS01G200GHI900	CYPRESS	获取价格	Flash
S34MS01G200GHI903	CYPRESS	获取价格	Flash
S34MS02G1	CYPRESS	获取价格	1-bit ECC, x8 and x16 I/O, 1.8V VCC SLC NAND Flash for Embedded
S34MS02G100	CYPRESS	获取价格	1-Bit ECC

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