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S34MS04G100BHI000

更新时间： 2024-11-25 15:50:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
71页 1809K
描述
Flash, 512MX8, 45ns, PBGA63, BGA-63

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S34MS04G100BHI000 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：BGA-63Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：1 week
风险等级：7.82最长访问时间：45 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B63长度：11 mm
内存密度：4294967296 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：4K
端子数量：63字数：536870912 words
字数代码：512000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA63,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：2K words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.000045 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：SLC NAND TYPE
宽度：9 mmBase Number Matches：1

S34MS04G100BHI000 数据手册

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S34MS01G1  
S34MS02G1  
S34MS04G1  
1-bit ECC, x8 and x16 I/O, 1.8V VCC  
SLC NAND Flash for Embedded  
Distinctive Characteristics  
Density  
NAND flash interface  
– 1 Gb / 2 Gb / 4 Gb  
– Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 compliant  
– Address, Data, and Commands multiplexed  
Supply voltage  
Architecture  
– Input / Output Bus Width: 8 bits / 16 bits  
– Page size:  
– ×8 = 2112 (2048 + 64) bytes; 64 bytes is spare area  
– ×16 = 1056 (1024 + 32) words; 32 words is spare area  
– Block size: 64 pages  
– 1.8-V device: Vcc = 1.7 V ~ 1.95 V  
Security  
– One Time Programmable (OTP) area  
– Hardware program/erase disabled during power transition  
– ×8 = 128 KB + 4 KB  
Additional features  
– ×16 = 64k + 2k words  
– 2 Gb and 4 Gb parts support Multiplane Program and Erase  
commands  
– Plane size:  
– 1 Gb / 2 Gb: 1024 Blocks per Plane  
×8 = 128 MB + 4 MB  
– Supports Copy Back Program  
– 2 Gb and 4 Gb parts support Multiplane Copy Back Program  
– Supports Read Cache  
×16 = 64M + 2M words  
– 4 Gb: 2048 blocks per plane  
×8 = 256 MB + 8 MB  
Electronic signature  
– Manufacturer ID: 01h  
×16 = 128M + 4M words  
– Device size:  
Operating temperature  
– Industrial: –40 °C to 85 °C  
– Industrial Plus: –40 °C to 105 °C  
– 1 Gb: 1 Plane per Device or 128 MB  
– 2 Gb: 2 Planes per Device or 256 MB  
– 4 Gb: 2 Planes per Device or 512 MB  
Performance  
Page Read / Program  
Reliability  
– Random access: 25 µs (Max)  
– 100,000 Program / Erase cycles (Typ)  
(with 1-bit ECC per 528 bytes (×8) or 264 words (×16))  
– 10-year Data retention (Typ)  
– Sequential access: 45 ns (Min)  
– Program time / Multiplane Program time: 250 µs (Typ)  
Block Erase (S34MS01G1)  
– For one plane structure (1-Gb density)  
– Block zero is valid and will be valid for at least 1,000 program-  
erase cycles with ECC  
– Block Erase time: 2.0 ms (Typ)  
Block Erase / Multiplane Erase (S34MS02G1, S34MS04G1)  
– Block Erase time: 3.5 ms (Typ)  
– For two plane structures (2-Gb and 4-Gb densities)  
– Blocks zero and one are valid and will be valid for at least  
1,000 program-erase cycles with ECC  
Package options  
– Pb-free and Low Halogen  
– 48-Pin TSOP 12 x 20 x 1.2 mm  
– 63-Ball BGA 9 x 11 x 1 mm  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 002-00330 Rev. *K  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised April 20, 2017  
 
 
 
 
1234567...71

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与S34MS04G100BHI000相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S34MS04G104 CYPRESS

获取价格

 		1-Bit ECC
S34MS04G2 CYPRESS

获取价格

 		1 Gbit/2 Gbit/4 Gbit SLC NAND Flash for Embedded
S34MS04G200BHI000 CYPRESS

获取价格

 		Flash, 512MX8, 45ns, PBGA63, BGA-63
S34MS04G204BHI010 CYPRESS

获取价格

 		Flash, 256MX16, 45ns, PBGA63, BGA-63
S34MS-1 CYPRESS

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 		1-Bit ECC
S34Q YANGJIE

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 		SOD-123FL
S35 MICROSEMI

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 		Silicon Power Rectifier
S35 NKK

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 		Medium/High Capacity Standard Size Toggles
S35 YANGJIE

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 		SOD-123FL
S-35 MEANWELL

获取价格

 		35W Single Output Switching Power Supply

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