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S30MS01GP25BAW500

更新时间： 2024-11-16 02:52:19

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飞索 - SPANSION		存储
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41页	948K
描述
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on MirrorBit⑩ Technology

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S30MS01GP25BAW500 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	13 X 11 MM, FBGA-137
针数：	137	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	最长访问时间：	25 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B137	JESD-609代码：	e0
长度：	13 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	137
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	128MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
类型：	NAND TYPE	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

S30MS-P ORNAND^TMFlash Family

S30MS01GP, S30MS512P

1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on

MirrorBit^™Technology

S30MS-P ORNAND^TMFlash Family Cover Sheet

Data Sheet (Preliminary)

Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion

product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,

Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.

Publication Number S30MS-P_00

Revision A

Amendment 7

Issue Date August 4, 2006

12 3 4 5 6 7...41

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S30MS01GP25BAW502	SPANSION	获取价格	1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me
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