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S30MS01GP25TAW010

更新时间: 2024-11-16 02:52:19
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页数 文件大小 规格书
41页 948K
描述
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on MirrorBit⑩ Technology

S30MS01GP25TAW010 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSSOP, TSSOP48,.8,20针数:48
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.92
最长访问时间:25 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1部门数/规模:1K
端子数量:48字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:128MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小:1K words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:1.8 V
编程电压:1.8 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:64K最大待机电流:0.00006 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30切换位:NO
类型:NAND TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

S30MS01GP25TAW010 数据手册

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S30MS-P ORNANDTMFlash Family  
S30MS01GP, S30MS512P  
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Memory Based on  
MirrorBitTechnology  
S30MS-P ORNANDTMFlash Family Cover Sheet  
Data Sheet (Preliminary)  
Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion  
product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,  
Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.  
Publication Number S30MS-P_00  
Revision A  
Amendment 7  
Issue Date August 4, 2006  

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