是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 13 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-137 |
针数: | 137 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 25 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B137 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 137 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 128MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NAND TYPE | 宽度: | 11 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S30MS01GP25TAW000 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW002 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW003 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW010 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW012 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW013 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW500 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW502 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW503 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me | |
S30MS01GP25TAW510 | SPANSION |
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1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |