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S29WS256N0LBAW010

更新时间： 2024-02-18 06:39:54

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飞索 - SPANSION		闪存
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99页	921K
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256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY

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S29WS256N0LBAW010 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA84,10X12,32	针数：	84
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.81
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
长度：	11.6 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	8,254	端子数量：	84
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA84,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.054 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm

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ADVANCE

INFORMATION

S29WS-N MirrorBit™ Flash Family

S29WS256N, S29WS128N, S29WS064N

256/128/64 Megabit (16/8/4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only

Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory

Data Sheet

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Do not design in this product without contacting the factory. Spansion LLC

reserves the right to change or discontinue work on this proposed product

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Publication Number S29WS-N_00 Revision G Amendment 0 Issue Date January 25, 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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S29WS256N0LBAW012	CYPRESS	Flash, 16MX16, 70ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-84	获取价格
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