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S29WS256N0LBFW110

更新时间： 2024-02-21 14:29:36

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飞索 - SPANSION		闪存
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99页	921K
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256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY

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S29WS256N0LBFW110 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	11.60 X 8 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-84
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.83	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
JESD-609代码：	e1	长度：	11.6 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	8,254
端子数量：	84	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA84,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.054 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm

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ADVANCE

INFORMATION

S29WS-N MirrorBit™ Flash Family

S29WS256N, S29WS128N, S29WS064N

256/128/64 Megabit (16/8/4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only

Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory

Data Sheet

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Do not design in this product without contacting the factory. Spansion LLC

reserves the right to change or discontinue work on this proposed product

without notice.

Publication Number S29WS-N_00 Revision G Amendment 0 Issue Date January 25, 2005

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