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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 76 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-G8 | 长度： | 5.283 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.3 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.159 mm | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.000032 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 5.283 mm |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S25FL208K0RMFI040 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 1MX8, PDSO8, SOIC-8 |
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| S25FL208K0RMFI040 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, PDSO8, SOIC-8 |
|
| S25FL208K0RMFI041 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 1MX8, PDSO8, SOIC-8 |
|
| S25FL208K0RMFI041 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, PDSO8, SOIC-8 |
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| S25FL208K0RMFI043 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX8, PDSO8, SOIC-8 |
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| S25FL216K | SPANSION |
获取价格 |
16-Mbit 3.0V Serial Flash Memory with Uniform 4 kB Sectors |
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| S25FL216K_00 | SPANSION |
获取价格 |
16-Mbit 3.0V Serial Flash Memory with Uniform 4 kB Sectors |
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| S25FL256 | CYPRESS |
获取价格 |
256Mbit (32Mbyte)/128Mbit (16Mbyte),3.0 V FL-L Flash Memory |
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| S25FL256L | CYPRESS |
获取价格 |
256Mbit (32Mbyte)/128Mbit (16Mbyte),3.0 V FL-L Flash Memory |
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| S25FL256LAGBHA020 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
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