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S1AB-13

更新时间： 2024-11-29 13:13:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 98K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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S1AB-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.22配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

S1AB-13 数据手册

 浏览型号S1AB-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号S1AB-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: S1A S1B S1D S1G S1J S1K S1M S1AB  
S1BB S1DB S1GB S1JB S1KB S1MB  
S1A/B - S1M/B  
1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
Features  
•
•
•
•
•
Glass Passivated Die Construction  
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability  
Surge Overload Rating to 30A Peak  
SMA  
SMB  
B
Dim  
Min Max Min Max  
2.29 2.92 3.30 3.94  
4.00 4.60 4.06 4.57  
1.27 1.63 1.96 2.21  
0.15 0.31 0.15 0.31  
4.80 5.59 5.00 5.59  
0.10 0.20 0.10 0.20  
0.76 1.52 0.76 1.52  
2.01 2.30 2.00 2.40  
Ideally Suited for Automated Assembly  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note 3)  
A
B
C
D
E
G
H
J
A
J
C
D
Mechanical Data  
•
•
Case: SMA/SMB  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish).  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number, See Page 3  
•
•
G
E
H
•
•
•
•
•
Ordering Information: See Page 3  
SMA Weight: 0.064 grams (approximate)  
SMB Weight: 0.093 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
A, B, D, G, J, K, M Suffix Designates SMA Package  
AB, BB, DB, GB, JB, KB, MB Suffix Designates SMB Package  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
S1  
S1  
S1  
S1  
S1  
S1  
S1  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
A/AB B/BB D/DB G/GB J/JB  
K/KB M/MB  
V
Peak Repetitive Reverse Voltage  
RRM  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
V
RWM  
V
R
RMS Reverse Voltage  
280  
1.0  
V
A
V
R(RMS)  
Average Rectified Output Current  
@ T = 100°C  
I
T
O
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
30  
A
V
I
FSM  
1.1  
Forward Voltage  
@ I = 1.0A  
V
F
FM  
Peak Reverse Leakage Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 4)  
@ T  
=
25°C  
5.0  
100  
A
μA  
I
RM  
@ T = 125°C  
A
2.0  
10  
μs  
pF  
t
rr  
Typical Total Capacitance  
(Note 1)  
C
T
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
30  
°C/W  
°C  
R
θJT  
-65 to +150  
T T  
j, STG  
Notes:  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Thermal resistance junction to terminal, unit mounted on PC board with 5.0 mm2 (0.013 mm thick) copper pads as heat sink.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and high temperature solder exemptions applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
4. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
DS16003 Rev. 16 - 2  
1 of 3  
S1A/B – S1M/B  
© Diodes Incorporated  
www.diodes.com  
123

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S1AB-13 替代型号

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