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RU2020H

更新时间： 2022-11-12 00:34:23
品牌 Logo 应用领域
锐骏半导体 - RUICHIPS /
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9页 271K
描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU2020H 数据手册

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RU2020H  
Typical Characteristics  
Output Characteristics  
Drain-Source On Resistance  
VDS - Drain-Source Voltage (V)  
Drain-Source On Resistance  
ID - Drain Current (A)  
Gate Threshold Voltage  
VGS - Gate-Source Voltage (V)  
Tj - Junction Temperature (°C)  
4
CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. A– FEB., 2012  
www.ruichips.com  
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