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RU2020H

更新时间: 2024-01-28 14:29:01
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锐骏半导体 - RUICHIPS /
页数 文件大小 规格书
9页 271K
描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

RU2020H 数据手册

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RU2020H  
Typical Characteristics  
Power Dissipation  
Drain Current  
Tj - Junction Temperature (°C)  
Tj - Junction Temperature (°C)  
Safe Operation Area  
Thermal Transient Impedance  
VDS - Drain-Source Voltage (V)  
Square Wave Pulse Duration (sec)  
3
CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. A– FEB., 2012  
www.ruichips.com  

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