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RU1C002UNTCL

更新时间： 2024-10-14 13:13:07

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		驱动
页数	文件大小	规格书
6页	956K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, UMT3F, 3 PIN

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RU1C002UNTCL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UMT3F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	1.64
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RU1C002UNTCL 数据手册

Data Sheet

1.2V Drive Nch MOSFET

RU1C002UN

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

UMT3F

Silicon N-channel MOSFET

2.0

0.9

0.32

(3)

Features

1) Low on-resistance.

2) Low voltage drive(1.2V drive).

(1)

(2)

0.13

0.65 0.65

1.3

Abbreviated symbol : QR

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

(3)

Package

Taping

TCL

3000



Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

∗1

RU1C002UN

∗2

(1)

(2)

(1) Gate

1 BODY DIODE

2 ESD PROTECTION DIODE

(2) Source

(3) Drain

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

Limits

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

8

Continuous

Pulsed

200

400

150

C

Drain current

I_DP

Power dissipation

P_D

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

55 to 150

C

*2 Each terminal mounted on a reference land.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^*

Limits

833

Unit

Channel to Ambient

C / W

* Each terminal mounted on a reference land.

www.rohm.com

2011.09 - Rev.A

1/5

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