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RT3N66M

更新时间： 2024-01-08 09:07:05
品牌 Logo 应用领域
谏早电子 - ISAHAYA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
Composite Transistor With Resistor

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RT3N66M 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

RT3N66M 数据手册

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PRELIMINARY  
RT3N66M  
Composite Transistor With Resistor  
For Switching Application  
Silicon Epitaxial Type  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
I =100μA,R =∞  
Unit  
Min  
50  
-
Typ  
-
Max  
-
Collector to Emitter break down voltage  
Collector cut off current  
V
μA  
-
V
(BR)CEO  
C
BE  
-
0.1  
-
I
V
CB  
=50V,I =0  
E
CBO  
DC forward current gain  
100  
-
-
h
V
CE  
=5V,I =1mA  
C
FE  
Collector to Emitter saturation voltage  
Input resistor  
0.1  
4.7  
200  
0.3  
6.1  
-
V
V
R
I =10mA,I =0.5mA  
C B  
CE(sat)  
1
kΩ  
-
3.3  
-
Gain band width product  
f
V
CE  
=6V,I =-10mA  
MH  
Z
T
E
TYPICAL CHARACTERISTICS  
DC forward gain current - Collector current  
Input on voltage - Collector current  
1000  
100  
10  
10  
VCE=5V  
VCE=0.2V  
1
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
Collector current ꢀIc(mA)  
Collector current Ic (mA)  
Collector current -Input off voltage  
1000  
100  
10  
VCE=5V  
0
0.2 0.4 0.6 0.8  
1
1.2 1.4 1.6 1.8  
2
Input off voltageꢀVI(OFF) (V)  
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION  
123

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