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RSJ300N10

更新时间： 2022-04-01 19:56:25

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罗姆 - ROHM		驱动
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描述
4V Drive Nch MOSFET

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RSJ300N10 数据手册

Data Sheet

4V Drive Nch MOSFET

RSJ300N10

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

LPTS

10.1

4.5

1.3

Features

1.24

1) Low on-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

0.4

2.7

2.54

0.78

5.08

(1) (2) (3)

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

∗1

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

1000



∗2

RSJ300N10

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

(1)

(2)

(3)

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

100

Unit

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Drain-source voltage

Gate-source voltage

20

Continuous

30

Drain current

Pulsed

I_DP

60

Continuous

Pulsed

I_S

Source current

(Body Diode)

I_SP

Power dissipation

P_D

C

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Limited only by maximum temperature allowed.

*2 Pw≦10s, Duty cycle≦1%

*3 T_c=25℃

55 to 150

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-c)^*

Limits

2.5

Unit

Channel to Case

*Mounted on a ceramic board.

C / W

www.rohm.com

2011.08 - Rev.A

1/6

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