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RSJ650N10

更新时间： 2024-02-27 18:33:12

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罗姆 - ROHM		驱动
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7页	1120K
描述
4V Drive Nch MOSFET

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RSJ650N10 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LPTS, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	1.69
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	65 A	最大漏源导通电阻：	0.0098 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RSJ650N10 数据手册

Data Sheet

4V Drive Nch MOSFET

RSJ650N10

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

LPTS

10.1

4.5

1.3

Features

1) Low on-resistance.

2) High power package.

3) 4V drive.

1.24

0.4

2.54

0.78

2.7

5.08

(1) (2) (3)

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

∗1

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

1000



∗2

RSJ650N10

(1)

(2)

(3)

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

Limits

100

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

20

Continuous

Pulsed

65

Drain current

I_DP

130

Continuous

Pulsed

I_S*3

Source current

(Body Diode)

I_SP

130

Power dissipation

P_D

100

C

Channel temperature

Tch

150

Range of storage temperature

*1 P_W10s, Duty cycle1%

*2 T_C=25°C

Tstg

55 to 150

*3 Please use within the range of SOA.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-c)^*

Limits

1.25

Unit

Channel to Case

* T_C=25°C

C / W

www.rohm.com

2011.06 - Rev.A

1/6

12 3 4 5 6 7

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与RSJ650N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RSJ650N10TL	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 100V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
RSJ-BK	ALTECH	获取价格	RS Series Relay Modules
RSJ-BL	ALTECH	获取价格	RS Series Relay Modules
RSJ-RD	ALTECH	获取价格	RS Series Relay Modules
RSK 22N	VISHAY	获取价格	Precision Wirebondable Single Value Thin Film Chip Resistor
RSK 33N	VISHAY	获取价格	Wirebondable Dual Value Thin Film Chip Resistor Networks, Center Tap
RSK22N	VISHAY	获取价格	Single Value Chip Resistor
RSK22N_15	VISHAY	获取价格	Precision Wirebondable Single Value Thin Film Chip Resistor
RSK22N1.01KB	VISHAY	获取价格	RESISTOR, 0.1 W, 0.1 %, 25 ppm, 1010 ohm, SURFACE MOUNT, 0202, CHIP, ROHS COMPLIANT
RSK22N1.02KB	VISHAY	获取价格	RESISTOR, 0.1 W, 0.1 %, 25 ppm, 1020 ohm, SURFACE MOUNT, 0202, CHIP, ROHS COMPLIANT