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Datasheet > 光电 > 插槽式开关> RPI-576N1
RPI-576N1 PDF预览

RPI-576N1

更新时间： 2024-11-09 09:44:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电断路器开关插槽式开关输出元件
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
Photointerrupter, General type

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RPI-576N1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72Is Samacsys：N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V配置：SINGLE
最大暗电源：500 nA最大正向电流：0.05 A
间隙大小：5 mmJESD-609代码：e2
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最大通态电压：30 V标称通态集电极电流：0.5 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH输出电路类型：Transistor
最长响应时间：0.00001 s标称槽宽：5 mm
表面贴装：NO端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
Base Number Matches：1

RPI-576N1 数据手册

 浏览型号RPI-576N1的Datasheet PDF文件第2页 
External dimensions (Unit : mm)  
RPI-576N1  
Photointerrupter, General type  
13.7  
10  
2.35  
2-φ0.8  
4-φ1.0  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Through hole  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
mA  
V
Applications  
Forward current  
IF  
50  
Printers  
Facsimiles  
AV equipment  
Reverse voltage  
VR  
5
80  
Power dissipation  
PD  
mW  
V
8.95  
Collector-emitter voltage  
Emitter-collector voltage  
Collector current  
VCEO  
VECO  
IC  
30  
Cross-section A-A  
0.5  
4.5  
V
Features  
Gap  
5
0.8  
R2.5  
30  
mA  
mW  
°C  
1) Heat resistance (170°C).  
2) Small gap (0.5mm) and good accuracy.  
3) Quick response time.  
4) Filter against visible ray is built-in.  
5) Kinked forming.  
Collector power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Soldering temperture  
PC  
80  
A
Topr  
Tstg  
Tsol  
−25 to +85  
−40 to +85  
260 / 3  
Optical axis center  
°C  
∗
°C / s  
∗ 1mm from the body bottom.  
Electrical and optical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
1.3  
−
Max.  
1.6  
10  
0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
A
VF  
IR  
−
−
IF=50mA  
VR=5V  
Forward voltage  
4-0.4  
4-0.45  
4-0.85  
µA  
µA  
nm  
mA  
V
Reverse current  
Dark current  
(10)  
(2.54)  
ICEO  
−
−
VCE=10V  
Peak sensitivity wavelength  
Collector current  
λ
P
−
800  
−
−
14  
IC  
VCE(sat)  
tr  
0.5  
−
−
VCE=5V, IF=20mA  
13.6 0.1  
0.1  
IF=20mA, IC=0.5mA  
0.5  
−
Collector-emitter saturation voltage  
4.65 0.1  
Rise time  
−
−
10  
10  
µs  
µs  
Cathode  
Collector  
Response time  
VCC=5V, IF=20mA, RL=100Ω  
−
Fall time  
Cut-off frequency  
tf  
fC  
−
−
1
−
−
MHz  
nm  
Notes:  
IF=50mA  
∗ Non-coherent Infrared light emitting diode used.  
1. Unspecified tolerance  
shall be 0.2 .  
2. Dimension in parenthesis are  
show for reference.  
950  
λ
P
Peak light emitting wavelength  
VCC=5V, IC=1mA, RL=100Ω  
tr tf  
µs  
Response time  
−
−
10  
−
−
Anode  
Emitter  
∗ This product is not designed to be protected against electromagnetic wave.  
2-φ0.7  
λ
P
nm  
−
Maximum sensitivity wavelength  
800  
Electrical and optical characteristics curves  
1000  
5
4
3
2
1
0
50  
25°C  
100  
0°C  
25°C  
50°C  
75°C  
100  
10  
40  
30  
20  
d
200  
100  
80  
60  
40  
20  
0
40  
30  
20  
t
r
t
f
R =5kΩ  
L
V
V
CE=30V  
CE=20V  
t
r
50  
V
CE=10V  
t
f
RL  
=2kΩ  
=1kΩ  
t
f
1
t
r
RL  
20  
10  
10  
0
10  
0
0.1  
10 20  
50 100 200  
500 1000 2000  
0
1
2
3
4
5
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8  
25  
0
25  
50  
75  
100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
−20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
DISTANCE : d (mm)  
FORWARD CURRENT : IF (mA)  
COLLECTOR CURRENT : Ic (mA)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
FORWARD VOLTAGE : VF (V)  
Fig.8 Response time vs.  
collector current  
Fig.9 Dark current vs. ambient  
temperature  
Fig.1 Relative output vs. distance ( )  
Fig.2 Forward current falloff  
Fig.3 Forward current vs. forward voltage  
Fig.7 Collector current vs. forward current  
3.0  
160  
140  
120  
100  
80  
Input  
VCC  
100  
80  
60  
40  
20  
0
100  
80  
60  
40  
20  
0
I
F
=25mA  
2.0  
1.0  
0
PD  
PC  
Input  
20mA  
Output  
90%  
10%  
RL  
15mA  
10mA  
60  
Output  
td  
40  
tr  
tf  
5mA  
td :  
tr :  
20  
0
Delay time  
Rise time (time for output current to rise  
from 10% to 90% of peak current)  
Fall time (time for output current to fall  
from 90% to 10% of peak current)  
0
1
2
3
4
5
40 20  
0
20 40 60 80 100  
0
2
4
6
8
10  
V)  
20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
tf :  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE : VCE  
(
DISTANCE : d (mm)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
Fig.5 Power dissipation / collector power  
dissipation vs. ambient temperature  
Fig.6 Relative output vs. ambient  
temperature  
Fig.4 Relative output vs. distance (  
)
Fig.10 Output characteristics  
Fig.11 Response time measurement circuit  
12

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