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Datasheet > 光电 > 插槽式开关> RPI-579
RPI-579 PDF预览

RPI-579

更新时间： 2024-11-05 03:36:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电断路器开关插槽式开关输出元件
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
Photointerrupter, General type

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RPI-579 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：8.51Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大暗电源：500 nA
最大正向电流：0.05 A间隙大小：5 mm
JESD-609代码：e1安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最大通态电压：30 V
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH输出电路类型：Transistor
标称槽宽：5 mm表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)Base Number Matches：1

RPI-579 数据手册

 浏览型号RPI-579的Datasheet PDF文件第2页 
External dimensions (Unit : mm)  
RPI-579  
10  
2.35  
Photointerrupter, General type  
13.8  
2-φ0.8  
Through hole  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
mA  
V
Applications  
Forward current  
IF  
50  
4-φ1.0  
Printers  
Facsimiles  
AV equipment  
Reverse voltage  
VR  
5
80  
8.95  
Power dissipation  
PD  
mW  
V
Gap  
5
Collector-emitter voltage  
Emitter-collector voltage  
Collector current  
VCEO  
VECO  
IC  
30  
0.8  
4.5  
V
0.5  
Features  
30  
mA  
mW  
°C  
A
A
1) Heat resistance (170°C).  
2) Small gap (0.5mm) and good accuracy.  
3) Quick response time.  
Collector power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Soldering temperture  
PC  
80  
Optical center  
Topr  
Tstg  
Tsol  
−25 to +85  
−40 to +85  
260 / 3  
°C  
4) Filter against visible ray is built-in.  
∗
°C / s  
∗ 1mm from the body bottom.  
Electrical and optical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
1.3  
−
Max.  
1.6  
10  
0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
4−0.4  
2-0.45  
VF  
IR  
−
−
IF=50mA  
VR=10V  
VCE=10V  
Forward voltage  
(2.54)  
(10)  
µA  
µA  
nm  
Reverse current  
Dark current  
ICEO  
−
−
Cathode  
Collector  
Peak sensitivity wavelength  
Collector current  
λP  
−
800  
−
−
14(Bottom)  
IC  
VCE(sat)  
tr  
0.5  
−
−
VCE=5V, IF=20mA  
mA  
V
0.1  
IF=20mA, IC=0.1mA  
0.5  
−
Collector-emitter saturation voltage  
Notes:  
1. Unspecified tolerance  
Rise time  
−
−
10  
10  
µs  
µs  
Response time  
VCC=5V, IF=20mA, RL=100Ω  
shall be 0.2 .  
−
Fall time  
Cut-off frequency  
tf  
Anode  
Emitter  
2. Measurement in the bracket is  
that of lead pin at base the mold.  
3. Dimension in parenthesis are  
show for reference.  
fC  
−
−
1
−
−
MHz  
nm  
IF=50mA  
∗ Non-coherent Infrared light emitting diode used.  
950  
λP  
Peak light emitting wavelength  
VCC=5V, IC=1mA, RL=100Ω  
2-φ0.7 0.1  
2.35 0.1  
6.6 0.1  
tr tf  
µs  
Response time  
−
−
10  
−
−
4. Please be carefully not to receive  
external disturbing light because  
the top and back face emitter and  
detector element isn't covered by case.  
∗ This product is not designed to be protected against electromagnetic wave.  
λ
P
nm  
−
Maximum sensitivity wavelength  
800  
Electrical and optical characteristics curves  
1000  
5
4
3
2
1
0
50  
−25°C  
100  
80  
60  
40  
20  
0
50  
40  
30  
20  
0°C  
25°C  
50°C  
75°C  
100  
10  
40  
30  
20  
d
200  
100  
t
r
t
f
R =5kΩ  
L
V
V
CE=30V  
CE=20V  
t
r
50  
VCE=10V  
t
f
R
L
=2kΩ  
=1kΩ  
t
f
1
t
r
R
L
20  
10  
10  
0
10  
0
0.1  
10 20  
50 100 200  
500 1000 2000  
0
1
2
3
4
5
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8  
25  
0
25  
50  
75  
100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
−20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
DISTANCE : d (mm)  
FORWARD CURRENT : IF (mA)  
COLLECTOR CURRENT : Ic (µA)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
FORWARD VOLTAGE : VF (V)  
Fig.8 Response time vs.  
collector current  
Fig.9 Dark current vs. ambient  
temperature  
Fig.1 Relative output vs. distance ( )  
Fig.2 Forward current falloff  
Fig.3 Forward current vs. forward voltage  
Fig.7 Collector current vs. forward current  
3.0  
160  
140  
120  
100  
80  
Input  
VCC  
100  
80  
60  
40  
20  
0
100  
80  
60  
40  
20  
0
I
F
=25mA  
2.0  
1.0  
0
PD  
PC  
Input  
20mA  
Output  
90%  
10%  
RL  
15mA  
10mA  
60  
Output  
td  
40  
tr  
tf  
5mA  
td :  
Delay time  
20  
0
Rise time (time for output current to rise  
from 10% to 90% of peak current)  
Fall time (time for output current to fall  
from 90% to 10% of peak current)  
tr :  
0
2
4
6
8
10  
V)  
0
1
2
3
4
5
40 20  
0
20 40 60 80 100  
20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
tf :  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE : VCE  
(
DISTANCE : d (mm)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
Fig.5 Power dissipation / collector power  
dissipation vs. ambient temperature  
Fig.6 Relative output vs. ambient  
temperature  
Fig.4 Relative output vs. distance (  
)
Fig.10 Output characteristics  
Fig.11 Response time measurement circuit  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RPI-579N1 ROHM

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