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RN4910TE85L

更新时间： 2024-11-16 20:52:15

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	286K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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RN4910TE85L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

RN4910TE85L 数据手册

RN4910

TOSHIBA Transistor

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN4910

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Unit: mm

z Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

R1: 4.7kΩ

(Q1, Q2 Common)

JEDEC

―

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

JEITA

TOSHIBA

2-2J1A

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

Weight: 6.8mg (typ.)

CBO

CEO

EBO

−50

−5

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−100

Q2 Absolute Maximum Rating Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

100

2007-11-01

12 3 4 5 6

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