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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.5 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1243 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1243A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK |
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| RN1243-A | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| RN1243B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK |
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| RN1243-B | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp |
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| RN1244 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1244(TPE4) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp |
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| RN1244A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK |
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| RN1244B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK |
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| RN1244-B | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp |
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