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三菱 - MITSUBISHI | 高功率电源 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
3页 | 51K | |
描述 | ||
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.82 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
应用: | HIGH POWER | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.3 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X8 | 最大非重复峰值正向电流: | 5000 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 250 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 400 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM250DG-130F | MITSUBISHI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 250A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4 | |
RM250DZ-24 | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM250DZ-2H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM250DZ-H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM250DZ-M | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM250HA-10F | MITSUBISHI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 500V V(RRM), Silicon, | |
RM250N150D7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 233 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.3 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM250UZ-24 | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM250UZ-2H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM250UZ-H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |