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RM250DG-130F

更新时间： 2024-01-29 03:24:45

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三菱 - MITSUBISHI		软恢复二极管局域网高压大电源高功率软恢复电源高功率电源测试
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6页	359K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 250A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4

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RM250DG-130F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PUFM-X4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	HIGH VOLTAGE HIGH POWER SOFT RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	4.3 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
最大非重复峰值正向电流：	2350 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	250 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
参考标准：	IEC-60747	最大重复峰值反向电压：	6500 V
最大反向电流：	2000 µA	最大反向恢复时间：	0.5 µs
反向测试电压：	6500 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

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RM250DG-130F

HIGH POWER SWITCHING USE

INSULATED TYPE

High Voltage Diode Modules

RM250DG-130F



I_{F····································································}250A

V_{RRM··························································}6500V

2-element in a Pack

High insulated Type

Soft Recovery Diode

AlSiC Baseplate

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

November 2012

HVM-2025-A.doc

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RM250DZ-24	MITSUBISHI	HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE	获取价格
RM250DZ-2H	MITSUBISHI	HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE	获取价格
RM250DZ-H	MITSUBISHI	HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE	获取价格
RM250DZ-M	MITSUBISHI	HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE	获取价格
RM250HA-10F	MITSUBISHI	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 500V V(RRM), Silicon,	获取价格
RM250UZ-24	MITSUBISHI	HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE	获取价格