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RHRU50120

更新时间： 2024-11-27 22:43:55

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英特矽尔 - INTERSIL		二极管局域网软恢复二极管超快速软恢复二极管
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50A, 1200V Hyperfast Diode

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RHRU50120 数据手册

RHRU50120

April 1995

File Number 3946.1

50A, 1200V Hyperfast Diode

Features

• Hyperfast with Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . .<85ns

The RHRU50120 (TA49100) are hyperfast diodes with soft

recovery characteristics (t

recovery time of ultrafast diodes and are silicon nitride passi-

< 85ns). They have half the

• Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175 C

• Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1200V

• Avalanche Energy Rated

vated ion-implanted epitaxial planar construction.

These devices are intended for use as freewheeling/clamp-

ing diodes and rectiﬁers in a variety of switching power sup-

plies and other power switching applications. Their low

stored charge and hyperfast soft recovery minimize ringing

and electrical noise in many power switching circuits reduc-

ing power loss in the switching transistors.

• Planar Construction

Applications

• Switching Power Supplies

• Power Switching Circuits

• General Purpose

Ordering Information

PACKAGING AVAILABILITY

PART NUMBER

PACKAGE

TO-218

BRAND

Package

RHRU50120

SINGLE LEAD JEDEC STYLE TO-218

ANODE

NOTE: When ordering, use the entire part number.

CATHODE

(FLANGE)

Symbol

Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Speciﬁed

RHRU50120

1200

UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V

RRM

Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V

1200

RWM

DC Blocking Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V

1200

Average Rectified Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I

F(AV)

(T = 50 C)

Repetitive Peak Surge Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I

(Square Wave, 20kHz)

100

500

FSM

Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I

(Halfwave, 1 Phase, 60Hz)

Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P

150

Avalanche Energy (See Figures 10 and 11). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E

AVL

Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T

, T

STG

-65 to +175

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

12 3 4

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