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RHRG5060-F085

更新时间： 2024-02-15 10:57:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网软恢复能力电源超快速软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
7页 7503K
描述
600 V、50 A、1.67 V、TO-247（2 引脚）超高速整流器

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RHRG5060-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：1.79其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY POWER配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON NITRIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.1 VJEDEC-95代码：TO-247AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：50 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：250 µA
最大反向恢复时间：0.06 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RHRG5060-F085 数据手册

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Hyperfast Rectifier  
50 A, 600 V  
RHRG5060-F085  
Description  
The RHRG5060−F085 is an hyperfast diode with softrecovery  
characteristics (trr < 45ns). It has half the recovery time of ultrafast  
diode and is of silicon nitride passivated ion−implanted epitaxial  
planar construction.  
www.onsemi.com  
This device is intended for use as a freewheeling/clamping diode  
and rectifier in a variety of automotive switching power supplies  
and other power switching automotive applications. Its low stored  
charge and hyperfast soft recovery minimize ringing and electrical  
noise in many power switching circuits, thus reducing power loss  
in the switching transistors.  
CATHODE  
ANODE  
Features  
• High Speed Switching ( t = 45 ns (Typ.) @ I = 50 A )  
TO−247−2L  
340CL  
rr  
F
• Low Forward Voltage( V = 1.67 V (Typ.) @ I = 50 A )  
F
F
• Avalanche Energy Rated  
• AEC−Q101 Qualified  
• This Device is Pb−Free  
MARKING DIAGRAM  
Applications  
$Y&Z&3&K  
RHRG5060  
• Switching Power Supply  
• Power Switching Circuits  
• General Purpose  
• Automotive and General Purpose  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
600  
600  
600  
50  
Unit  
V
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
RRM  
RWM  
$Y  
= ON Semiconductor Logo  
V
V
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
V
R
V
Average Rectified Forward Current  
I
A
F(AV)  
RHRG5060  
= Specific Device Code  
@ T = 25 °C  
C
Non−repetitive Peak Surge Current  
I
150  
40  
A
FSM  
(Halfwave 1 Phase 50 Hz)  
Avalanche Energy  
(1.4 A, 40 mH)  
E
mJ  
°C  
AVL  
1. Cathode  
2. Anode  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T
T
−55 to  
+175  
J, STG,  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
March, 2020 − Rev. 4  
RHRG5060−F085/D  
1234567

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