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RHRG5060-F085

更新时间： 2023-09-03 20:30:10

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安森美 - ONSEMI		软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网软恢复能力电源超快速软恢复能力电源
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7页	7503K
描述
600 V、50 A、1.67 V、TO-247（2 引脚）超高速整流器

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RHRG5060-F085 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	1.79	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	HYPERFAST SOFT RECOVERY POWER	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON NITRIDE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.1 V	JEDEC-95代码：	TO-247AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	50 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	250 µA
最大反向恢复时间：	0.06 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RHRG5060−F085

TYPICAL PERFORMANCE CHARECTERISTICS

V , Forward Voltage (V)

V , Reverse Voltage (V)

Figure 5. Typical Forward Voltage Drop

vs. Forward Current

Figure 6. Typical Reverse Current vs.

Reverse Voltage

V , Reverse Voltage (V)

di/dt (A/ms)

Figure 7. Typical Junction Capacitance

Figure 8. Typical Reverse Recovery Time vs. di/dt

T , Case Temperature (5C)

di/dt (A/ms)

Figure 9. Typical Reverse Recovery Current vs. di/dt

Figure 10. Forward Current Derating Curve

www.onsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RHRG5070	ROCHESTER	获取价格	50A, 700V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RHRG5080	ROCHESTER	获取价格	50A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RHRG5090	ROCHESTER	获取价格	50A, 900V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RHRG75100	INTERSIL	获取价格	75A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes
RHRG75100	RENESAS	获取价格	75A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
RHRG75120	FAIRCHILD	获取价格	75A, 1200V Hyperfast Diode
RHRG75120	INTERSIL	获取价格	75A, 1200V Hyperfast Diode
RHRG75120	ONSEMI	获取价格	75A，1200V，极快速二极管
RHRG7540	RENESAS	获取价格	RECTIFIER DIODE,400V V(RRM),TO-247VAR
RHRG7550	RENESAS	获取价格	RHRG7550