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RHRG75120

更新时间： 2024-01-01 07:52:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 253K
描述
75A，1200V，极快速二极管

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RHRG75120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.49
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.6 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：500 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：75 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.1 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

RHRG75120 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
PIN ASSIGNMENT  
Hyperfast Diode  
CATHODE  
(BOTTOM SIDE  
METAL)  
K
A
75 A, 1200 V  
RHRG75120  
Description  
CATHODE  
The RHRG75120 is a hyperfast diode with soft recovery  
characteristics. It has the half recovery time of ultrafast diodes and is  
silicon nitride passivated ionimplanted epitaxial planar construction.  
These devices are intended to be used as freewheeling / clamping  
diodes and diodes in a variety of switching power supplies and other  
power switching applications. Their low stored charge and hyperfast  
soft recovery minimize ringing and electrical noise in many power  
switching circuits reducing power loss in the switching transistors.  
ANODE  
TO−247−2LD  
CASE 340CL  
MARKING DIAGRAM  
Features  
$Y&Z&3&K  
• Hyperfast Recovery, t = 100 ns (@ I = 75 A)  
RHRG75120  
rr  
F
• Max Forward Voltage, V = 3.2 V (@ T = 25°C)  
F
C
• 1200 V Reverse Voltage and High Reliability  
• Avalanche Energy Rated  
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
Applications  
• Switching Power Supplies  
• Power Switching Circuits  
• General Purpose  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
RHRG75120  
= Specific Device Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Symbol  
Rating  
Value  
1200  
1200  
1200  
75  
Unit  
V
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
V
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
RRM  
RWM  
V
V
V
R
V
I
Average Rectified Forward Current  
A
F(AV)  
@ T = 42°C  
C
I
Repetitive Peak Surge Current  
(Square Wave, 20 kHz)  
150  
500  
A
A
FRM  
I
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Halfwave, 1 Phase, 60 Hz)  
FSM  
P
Maximum Power Dissipation  
190  
50  
W
mJ  
°C  
D
E
AVL  
Avalanche Energy (See Figures 7 and 8)  
Operating and Storage Temperature  
T , T  
−65 to  
+175  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
R
Maximum Thermal Resistance, Junction  
to Case  
0.8  
°C/W  
q
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
August 2022 − Rev. 4  
RHRG75120/D  
123456

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