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RHRG5060-F085

更新时间: 2024-01-26 08:50:54
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安森美 - ONSEMI 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网软恢复能力电源超快速软恢复能力电源
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7页 7503K
描述
600 V、50 A、1.67 V、TO-247(2 引脚)超高速整流器

RHRG5060-F085 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T2Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:1.79其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:HYPERFAST SOFT RECOVERY POWER配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON NITRIDE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.1 VJEDEC-95代码:TO-247AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:250 µA
最大反向恢复时间:0.06 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RHRG5060-F085 数据手册

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RHRG5060F085  
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS  
V
GE  
AMPLITUDE AND  
R
CONTROL dl /dt  
G
F
L
t AND t CONTROL I  
1
2
F
DUT  
CURRENT  
SENSE  
dI  
F
T
rr  
R
G
I
F
dt  
t
t
b
+
a
V
GE  
0
V
DD  
IGBT  
t
1
0.25I  
RM  
t
2
I
RM  
Figure 1. Trr Test Circuit  
Figure 2. Trr Waveforms and Definitions  
I = 1 A  
L = 40 mH  
R < 0.1 W  
2
E
AVL  
= 1/2LI [V  
/(V V )]  
R(AVL) R(AVL) DD  
Q = IGBT (BV  
> DUT V  
)
V
AVL  
1
CES  
R(AVL)  
L
R
+
V
CURRENT  
SENSE  
I
L
I
L
DD  
I V  
Q
1
V
DD  
DUT  
t
t
t
2
t
0
1
Figure 3. Avalanche Energy Test Circuit  
Figure 4. Avalanche Current and Voltage Waveforms  
www.onsemi.com  
3

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