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RHRG5060

更新时间： 2024-12-02 11:15:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 286K
描述
50A，600V，极快二极管

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RHRG5060 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.33
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：500 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：50 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RHRG5060 数据手册

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Hyperfast Diode  
50 A, 600 V  
RHRG5060  
Description  
The RHRG5060 is a hyperfast diode with soft recovery  
characteristics. It has the half recovery time of ultrafast diodes  
and is silicon nitride passivated ionimplanted epitaxial planar  
construction. These devices are intended to be used  
as freewheeling/ clamping diodes and diodes in a variety of switching  
power supplies and other power switching applications. Their low  
stored charge and hyperfast soft recovery minimize ringing  
and electrical noise in many power switching circuits reducing power  
loss in the switching transistors.  
www.onsemi.com  
CATHODE  
Features  
ANODE  
• Hyperfast Recovery ( t = 50 ns (@ I = 50 A )  
rr  
F
JEDEC STYLE  
TO−247  
• Max Forward Voltage( V = 2.1 V (@ T = 25 °C )  
F
C
340CL  
• 600 V Reverse Voltage and High Reliability  
• Avalanche Energy Rated  
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
MARKING DIAGRAM  
Applications  
• Switching Power Supplies  
• Power Switching Circuits  
• General Purpose  
$Y&Z&3&K  
RHRG5060  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
600  
600  
600  
50  
Unit  
V
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
RRM  
RWM  
V
V
V
R
V
$Y  
= ON Semiconductor Logo  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
Average Rectified Forward Current  
I
A
F(AV)  
(T = 93 °C)  
C
Repetitive Peak Surge Current  
(Square Wave, 20 kHz)  
I
100  
500  
A
A
FRM  
RHRG5060  
= Specific Device Code  
Nonrepetitive Peak Surge Current  
(Halfwave 1 Phase, 60 Hz)  
I
FSM  
Maximum Power Dissipation  
P
150  
40  
W
D
Avalanche Energy  
(See Figure 10 and Figure 11)  
E
AVL  
mJ  
1. Cathode  
2. Anode  
Operating and Storage Temperature  
T
STG,  
T
J
−65 to  
+175  
°C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
July, 2021 − Rev. 4  
RHRG5060/D  
123456

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与RHRG5060相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RHRG5060_F085 ONSEMI

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon
RHRG5060_NL FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247
RHRG5060-F085 ONSEMI

获取价格

 		600 V、50 A、1.67 V、TO-247（2 引脚）超高速整流器
RHRG5070 ROCHESTER

获取价格

 		50A, 700V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RHRG5080 ROCHESTER

获取价格

 		50A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RHRG5090 ROCHESTER

获取价格

 		50A, 900V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RHRG75100 INTERSIL

获取价格

 		75A, 700V - 1000V Hyperfast Diodes
RHRG75100 RENESAS

获取价格

 		75A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
RHRG75120 FAIRCHILD

获取价格

 		75A, 1200V Hyperfast Diode
RHRG75120 INTERSIL

获取价格

 		75A, 1200V Hyperfast Diode

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