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RHRG5060_F085

更新时间： 2024-12-01 21:21:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 405K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon

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RHRG5060_F085 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.42
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY POWER
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON NITRIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.1 V
JEDEC-95代码：TO-247ABJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：50 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：250 µA最大反向恢复时间：0.06 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RHRG5060_F085 数据手册

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July 2014  
RHRG5060_F085  
50A, 600V Hyperfast Rectifier  
Features  
Max Ratings (600V, 50A)  
•
•
•
•
High Speed Switching ( trr=45ns(Typ.) @ IF=50A )  
Low Forward Voltage( VF=1.67V(Typ.) @ IF=50A )  
Avalanche Energy Rated  
The RHRG5060_F085 is an Hyperfast™ diode with soft  
recovery characteristics (trr < 45ns). It has half the  
recovery time of ultrafast diode and is of silicon nitride  
passivated ion-implanted epitaxial planar construction.  
This device is intended for use as a freewheeling/clamp-  
ing diode and rectifier in a variety of automotive switch-  
ing power supplies and other power switching  
automotive applications. Its low stored charge and  
hyperfast soft recovery minimize ringing and electrical  
noise in many power switching circuits, thus reducing  
power loss in the switching transistors.  
AEC-Q101 Qualified  
Applications  
•
•
•
•
Switching Power Supply  
Power Switching Circuits  
General Purpose  
Automotive and General Purpose  
Pin Assignments  
1
2
1. Cathode  
2. Anode  
TO-247-2L  
2. Anode  
1. Cathode  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
600  
600  
V
V
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
600  
V
IF(AV)  
IFSM  
Average Rectified Forward Current  
@ TC = 25°C  
50  
A
Non-repetitive Peak Surge Current (Halfwave 1 Phase 50Hz)  
Avalanche Energy (1.4A, 40mH)  
150  
A
EAVL  
40  
mJ  
°C  
TJ, TSTG  
Operating Junction and Storage Temperature  
- 55 to +175  
Thermal Characteristics  
T
= 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Max  
0.42  
45  
Units  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case  
Maximum Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Tube  
Quantity  
RHRG5060  
RHRG5060_F085  
TO-247  
-
30  
©2014 Fairchild Semiconductor Corporation  
RHRG5060_F085 Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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与RHRG5060_F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RHRG5060_NL FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247
RHRG5060-F085 ONSEMI

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 		600 V、50 A、1.67 V、TO-247（2 引脚）超高速整流器
RHRG5070 ROCHESTER

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 		50A, 700V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RHRG5080 ROCHESTER

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 		50A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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 		50A, 900V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RHRG75100 INTERSIL

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RHRG75100 RENESAS

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 		75A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
RHRG75120 FAIRCHILD

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 		75A, 1200V Hyperfast Diode
RHRG75120 INTERSIL

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 		75A, 1200V Hyperfast Diode
RHRG75120 ONSEMI

获取价格

 		75A，1200V，极快速二极管

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