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RHRG50100

更新时间: 2024-01-24 20:21:45
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罗彻斯特 - ROCHESTER 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 773K
描述
50 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RHRG50100 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:R-PSFM-T2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73Is Samacsys:N
其他特性:FREEWHEELING DIODE应用:HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):3 VJESD-30 代码:R-PSFM-T2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:500 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:50 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大功率耗散:150 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:500 µA最大反向恢复时间:0.095 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

RHRG50100 数据手册

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