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RF601B2D_09

更新时间： 2024-09-16 06:07:31

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罗姆 - ROHM		二极管快恢复二极管
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Fast recovery diodes

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RF601B2D_09 数据手册

Fast recovery diodes

RF601B2D

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

General rectification

6.0

zFeatures

1)Power mold type.(CPD)

2)Ultra Low V_F

1.6

3)Very fast recovery

4)Low switching loss

zStructure

CPD

2.32.3

zConstruction

Silicon epitaxial planer

zStructure

(2)

(1)

(3)

z Taping dimensions (Unit : mm)

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz/1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

(*1) Business frequencies, Rating of R-load, Tc=128°C, 1/2 Io per diode

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

0.87

0.01

Max.

0.93

Unit

V_F

I_R

I_F=3A

Reverse current

V_R=200V

µA

Reverse recovery time

Thermal impedance

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25*I_R

JUNCTION TO CASE

trr

θjc

°C/W

www.rohm.com

2009.11 - Rev.F

1/3

12 3 4

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