RF601T2DFH

更新时间： 2024-09-16 12:59:47

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罗姆 - ROHM		二极管快恢复二极管
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RF601T2DFH 数据手册

Fast recovery diode

RF601T2D

Applications

Dimensions (Unit : mm)

 Structure

General rectification

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

Features

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

(1) (2) (3)

1) Cathode common type.(TO-220)

2) Ultra Low V_F

3) Very fast recovery

4) Low switching loss

①

Construction

1.2

Silicon epitaxial planar

1.3

0.8

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.05

2.6±0.5

ROHM : ＴO220FN

Manufacture Date

①

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz/1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temoerature

-55 to +150

Tstg

(*1)Business frequency, Rating of R-load, Tc=132CMAX. 1/2 Io per diode

Electrical characteristic (Ta=25C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

0.87

0.01

Max.

Unit

V_F

I_R

0.93

I_F=3A

Reverse current

μA

V_R=200V

Reverse recovery time

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25*I_R

trr

www.rohm.com

2010.02 - Rev.C

1/3

12 3 4

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