是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.78 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 20 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-34 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
膝阻抗最大值: | 120 Ω | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.4 W |
参考标准: | TS 16949 | 标称参考电压: | 8.52 V |
最大反向电流: | 0.5 µA | 反向测试电压: | 6 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 2.17% |
工作测试电流: | 5 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD9.1ESAB1-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB1-AZ | |
RD9.1ESAB1-T2-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB1-T2-AZ | |
RD9.1ESAB1-T4-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB1-T4-AZ | |
RD9.1ESAB2 | NEC |
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Zener Diode, 8.79V V(Z), 2.5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, DO-34, 2 PIN | |
RD9.1ESAB2 | EIC |
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Zener Diodes | |
RD9.1ESAB2-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB2-AZ | |
RD9.1ESAB2-T2-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB2-T2-AZ | |
RD9.1ESAB2-T4-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB2-T4-AZ | |
RD9.1ESAB3 | NEC |
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Zener Diode, 9.07V V(Z), 2.59%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, DO-34, 2 PIN | |
RD9.1ESAB3 | EIC |
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Zener Diode, |