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RD9.1FB1

更新时间: 2024-11-10 13:47:31
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EIC 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Zener Diodes

RD9.1FB1 数据手册

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SILICON ZENER DIODES  
DO - 35  
RD2.0E ~ RD39E  
VZ : 2.0 - 39 Volts  
PD : 500 mW  
1.00 (25.4)  
0.079(2.0 )max.  
min.  
FEATURES :  
0.150 (3.8)  
max.  
* Complete 2.0 to 39 Volts  
* High peak reverse power dissipation  
* High reliability  
1.00 (25.4)  
min.  
0.020 (0.52)max.  
* Low leakage current  
* Pb / RoHS Free  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-35 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
PD  
Power Dissipation  
500  
mW  
IF  
Tj  
Forward Current  
200  
mA  
°C  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
- 55 to + 175  
- 55 to + 175  
Ts  
°C  
Derating Curve  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
25  
50  
75  
100 125 150 175 200  
Ambient Temperture , Ta (°C)  
Page 1 of 4  
Rev. 02 : March 25, 2005  

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