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RD9.1E-T2B1

更新时间: 2024-11-18 15:49:27
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日电电子 - NEC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
14页 492K
描述
Zener Diode, 8.52V V(Z), 2.17%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

RD9.1E-T2B1 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.52 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:2.17%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

RD9.1E-T2B1 数据手册

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