是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DO-34 | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.48 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-34 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 9.07 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 2.59% |
工作测试电流: | 5 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD9.1ESAB3-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB3-AZ | |
RD9.1ESAB3-T1-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB3-T1-AZ | |
RD9.1ESAB-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB-AZ | |
RD9.1ESAB-T2-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB-T2-AZ | |
RD9.1ESAB-T4-AZ | RENESAS |
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RD9.1ESAB-T4-AZ | |
RD9.1ES-T2AB1 | NEC |
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Zener Diode, 8.51V V(Z), 2.59%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, | |
RD9.1ES-T2AB2 | NEC |
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Zener Diode, 8.79V V(Z), 2.5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, | |
RD9.1E-T1B2 | NEC |
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Zener Diode, 8.8V V(Z), 2.16%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
RD9.1E-T1B3 | NEC |
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Zener Diode, 9.09V V(Z), 2.2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
RD9.1E-T2B1 | NEC |
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Zener Diode, 8.52V V(Z), 2.17%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |