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RD9.1ESAB

更新时间: 2024-11-18 20:32:31
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瑞萨 - RENESAS 测试二极管
页数 文件大小 规格书
9页 234K
描述
8.81V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, GLASS PACKAGE-2

RD9.1ESAB 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-34包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.48Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:20 ΩJEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.8 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.74%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

RD9.1ESAB 数据手册

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On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology  
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companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid  
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.  
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com  
April 1st, 2010  
Renesas Electronics Corporation  
Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)  
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