RD8.2JSAB

更新时间： 2024-09-15 03:37:31

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EIC		稳压二极管齐纳二极管测试
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SILICON ZENER DIODES

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RD8.2JSAB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	30 Ω	JEDEC-95代码：	DO-34
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	膝阻抗最大值：	60 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.4 W
参考标准：	TS 16949	标称参考电压：	8.2 V
最大反向电流：	0.5 µA	反向测试电压：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5.37%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

RD8.2JSAB 数据手册

SILICON ZENER DIODES

RD4.7JS ~ RD39JS

V_Z: 4.7 - 39 Volts

P_D: 400 mW

DO - 34 Glass

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

FEATURES :

* Complete 4.7 to 39 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

0.118 (3.0)

Cathode

max.

Mark

1.00 (25.4)

min.

0.019 (0.50)max.

MECHANICAL DATA

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation

400

I_F

T_j

Forward Current

150

°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 175

T_s

°C

Derating Curve

700

600

500

400

300

200

100

100 125 150 175 200

Ambient Temperture , Ta (°C)

Page 1 of 3

Rev. 02 : March 25, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD8.2JSAB1	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
RD8.2JSAB1-AZ	RENESAS	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,8.2V V(Z),DO-34
RD8.2JSAB1-T1-AZ	RENESAS	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,8.2V V(Z),DO-34
RD8.2JSAB2	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
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RD8.2JSAB3	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
RD8.2JSAB3-AZ	RENESAS	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,8.2V V(Z),DO-34
RD8.2JSAB-AZ	RENESAS	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,8.2V V(Z),DO-34
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