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RD8.2JSAB2

更新时间： 2024-11-05 03:37:31

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EIC		稳压二极管测试
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
SILICON ZENER DIODES

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RD8.2JSAB2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.79
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	30 Ω
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
膝阻抗最大值：	60 Ω	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.4 W	参考标准：	TS 16949
标称参考电压：	8.19 V	最大反向电流：	0.5 µA
反向测试电压：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	2.08%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

RD8.2JSAB2 数据手册

SILICON ZENER DIODES

RD4.7JS ~ RD39JS

V_Z: 4.7 - 39 Volts

P_D: 400 mW

DO - 34 Glass

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

FEATURES :

* Complete 4.7 to 39 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

0.118 (3.0)

Cathode

max.

Mark

1.00 (25.4)

min.

0.019 (0.50)max.

MECHANICAL DATA

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation

400

I_F

T_j

Forward Current

150

°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 175

T_s

°C

Derating Curve

700

600

500

400

300

200

100

100 125 150 175 200

Ambient Temperture , Ta (°C)

Page 1 of 3

Rev. 02 : March 25, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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