5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > RD30HUF1
RD30HUF1 PDF预览

RD30HUF1

更新时间： 2024-11-20 22:44:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 391K
描述
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W

阅读下载

中文翻译

获取价格

RD30HUF1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.55外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RD30HUF1 数据手册

 浏览型号RD30HUF1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RD30HUF1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RD30HUF1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RD30HUF1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RD30HUF1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RD30HUF1的Datasheet PDF文件第7页 
MITSUBISHI RF POWER MOS FET  
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE  
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS  
RD30HUF1  
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W  
OUTLINE DRAWING  
DESCRIPTION  
22.0+/-0.3  
RD30HUF1 is a MOS FET type transistor specifically  
designed for UHF RF power amplifiers applications.  
18.0+/-0.3  
7.2+/-0.5  
7.6+/-0.3  
4-C1  
1
FEATURES  
•High power gain:  
Pout>30W, Gp>10dB @Vdd=12.5V,f=520MHz  
•High Efficiency: 55%typ.  
2
R1.6  
3
PIN  
APPLICATION  
2.8+/-0.3  
1.Drain  
2.Source  
3.Gate  
For output stage of high power amplifiers in UHF  
band mobile radio sets.  
UNIT:mm  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Tc=25 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
°C  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
Pch  
PARAMETER  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Channel dissipation  
Input power  
Junction temperature  
Storage temperature  
Thermal resistance  
CONDITIONS RATINGS UNIT  
30  
+/-20  
75  
V
V
Tc=25°C  
Zg=Zl=50Ω  
W
Pin  
7.5  
W
°C  
°C  
Tj  
175  
-40 to +175  
2.0  
Tstg  
°C/W  
Rth-c  
Junction to case  
Note 1: Above parameters are guaranteed independently.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25 , UNLESS OTHERWISE NOTED)  
°C  
LIMITS  
UNIT  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
-
TYP  
-
MAX.  
I
Zero gate voltage drain current  
Gate to source leak current  
Gate threshold voltage  
Output power  
Drain efficiency  
Load VSWR tolerance  
V
V
V
=17V, V =0V  
200  
uA  
uA  
V
W
%
-
DSS  
GSS  
TH  
DS  
GS  
DS  
GS  
I
=10V, V =0V  
-
-
1
2.3  
-
DS  
V
Pout  
=12V, I =1mA  
1.3  
30  
50  
1.8  
35  
55  
DS  
f=520MHz,V =12.5V  
DD  
Pin=3.0W,Idq=1.0A  
-
ηD1  
V
DD  
=15.2V,Po=30W(PinControl)  
No destroy  
Idq=1.0A,Zg=50Ω  
Load VSWR=20:1(All Phase)  
Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.  
RD30HUF1  
REV.1 14 MAY. 2003  
MITSUBISHI ELECTRIC  
1/7  
1234567

中文翻译

下载PDF

RD30HUF1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RD30HVF1 MITSUBISHI

功能相似

 Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
RD30HVF1-101 MITSUBISHI

功能相似

 Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W

与RD30HUF1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD30HUF1_06 MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
RD30HUF1_11 MITSUBISHI

获取价格

 		RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
RD30HVF1 MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
RD30HVF1_10 MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
RD30HVF1-101 MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
RD30JB NEC

获取价格

 		Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
RD30JS NEC

获取价格

 		DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode
RD30JS EIC

获取价格

 		SILICON ZENER DIODES
RD30JSAB EIC

获取价格

 		SILICON ZENER DIODES
RD30JSAB1 EIC

获取价格

 		SILICON ZENER DIODES

与RD30HUF1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证