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RD30HUF1

更新时间： 2024-09-11 22:44:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 391K
描述
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W

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RD30HUF1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.55外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RD30HUF1 数据手册

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MITSUBISHI RF POWER MOS FET  
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE  
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS  
RD30HUF1  
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W  
OUTLINE DRAWING  
DESCRIPTION  
22.0+/-0.3  
RD30HUF1 is a MOS FET type transistor specifically  
designed for UHF RF power amplifiers applications.  
18.0+/-0.3  
7.2+/-0.5  
7.6+/-0.3  
4-C1  
1
FEATURES  
•High power gain:  
Pout>30W, Gp>10dB @Vdd=12.5V,f=520MHz  
•High Efficiency: 55%typ.  
2
R1.6  
3
PIN  
APPLICATION  
2.8+/-0.3  
1.Drain  
2.Source  
3.Gate  
For output stage of high power amplifiers in UHF  
band mobile radio sets.  
UNIT:mm  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Tc=25 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
°C  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
Pch  
PARAMETER  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Channel dissipation  
Input power  
Junction temperature  
Storage temperature  
Thermal resistance  
CONDITIONS RATINGS UNIT  
30  
+/-20  
75  
V
V
Tc=25°C  
Zg=Zl=50Ω  
W
Pin  
7.5  
W
°C  
°C  
Tj  
175  
-40 to +175  
2.0  
Tstg  
°C/W  
Rth-c  
Junction to case  
Note 1: Above parameters are guaranteed independently.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25 , UNLESS OTHERWISE NOTED)  
°C  
LIMITS  
UNIT  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
-
TYP  
-
MAX.  
I
Zero gate voltage drain current  
Gate to source leak current  
Gate threshold voltage  
Output power  
Drain efficiency  
Load VSWR tolerance  
V
V
V
=17V, V =0V  
200  
uA  
uA  
V
W
%
-
DSS  
GSS  
TH  
DS  
GS  
DS  
GS  
I
=10V, V =0V  
-
-
1
2.3  
-
DS  
V
Pout  
=12V, I =1mA  
1.3  
30  
50  
1.8  
35  
55  
DS  
f=520MHz,V =12.5V  
DD  
Pin=3.0W,Idq=1.0A  
-
ηD1  
V
DD  
=15.2V,Po=30W(PinControl)  
No destroy  
Idq=1.0A,Zg=50Ω  
Load VSWR=20:1(All Phase)  
Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.  
RD30HUF1  
REV.1 14 MAY. 2003  
MITSUBISHI ELECTRIC  
1/7  
1234567

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