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RD30JSAB1

更新时间: 2024-09-12 04:08:39
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EIC 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 39K
描述
SILICON ZENER DIODES

RD30JSAB1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.78
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:200 Ω
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
膝阻抗最大值:200 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W参考标准:TS 16949
标称参考电压:28.94 V最大反向电流:0.1 µA
反向测试电压:23 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:2.49%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

RD30JSAB1 数据手册

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SILICON ZENER DIODES  
RD4.7JS ~ RD39JS  
VZ : 4.7 - 39 Volts  
PD : 400 mW  
DO - 34 Glass  
1.00 (25.4)  
0.078 (2.0 )max.  
min.  
FEATURES :  
* Complete 4.7 to 39 Volts  
* High peak reverse power dissipation  
* High reliability  
* Low leakage current  
* Pb / RoHS Free  
0.118 (3.0)  
Cathode  
max.  
Mark  
1.00 (25.4)  
min.  
0.019 (0.50)max.  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-34 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
PD  
Power Dissipation  
400  
mW  
IF  
Tj  
Forward Current  
150  
mA  
°C  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
- 55 to + 175  
- 55 to + 175  
Ts  
°C  
Derating Curve  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
25  
50  
75  
100 125 150 175 200  
Ambient Temperture , Ta (°C)  
Page 1 of 3  
Rev. 02 : March 25, 2005  

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