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RD30HVF1-101

更新时间： 2024-09-12 03:35:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 430K
描述
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W

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RD30HVF1-101 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RD30HVF1-101 数据手册

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MITSUBISHI RF POWER MOS FET  
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE  
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS  
RD30HVF1  
RoHS Compliance,  
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W  
DESCRIPTION  
RD30HVF1 is a MOS FET type transistor specifically  
designed for VHF RF power amplifiers applications.  
OUTLINE DRAWING  
22.0+/-0.3  
18.0+/-0.3  
7.2+/-0.5  
7.6+/-0.3  
4-C1  
1
FEATURES  
High power gain:  
Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz  
High Efficiency: 60%typ.  
2
R1.6  
3
PIN  
2.8+/-0.3  
APPLICATION  
For output stage of high power amplifiers in VHF band  
Mobile radio sets.  
1.Drain  
2.Source  
3.Gate  
UNIT:mm  
RoHS COMPLIANT  
RD30HVF1-101 is a RoHS compliant products.  
RoHS compliance is indicate by the letter “G” after  
the Lot Marking.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Tc=25 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
°C  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
Pch  
PARAMETER  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Channel dissipation  
Input power  
CONDITIONS  
Vgs=0V  
Vds=0V  
Tc=25°C  
Zg=Zl=50Ω  
RATINGS UNIT  
30  
+/-20  
75  
V
V
W
W
Pin  
2.5  
A
ID  
Drain current  
-
7
°C  
°C  
°C/W  
Tch  
Tstg  
Rth j-c  
Channel temperature  
Storage temperature  
Thermal resistance  
-
-
175  
-40 to +175  
2.0  
junction to case  
Note 1: Above parameters are guaranteed independently.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25 , UNLESS OTHERWISE NOTED)  
°C  
LIMITS  
TYP  
-
UNIT  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
-
-
1.3  
30  
55  
MAX.  
130  
1
2.3  
-
IDSS  
IGSS  
VTH  
Pout  
ηD  
Zero gate voltage drain current VDS=17V, VGS=0V  
uA  
uA  
V
W
%
-
Gate to source leak current  
Gate threshold voltage  
Output power  
VGS=10V, VDS=0V  
VDS=12V, IDS=1mA  
f=175MHz ,VDD=12.5V  
Pin=1.0W, Idq=0.5A  
-
1.8  
35  
60  
Drain efficiency  
-
Load VSWR tolerance  
VDD=15.2V,Po=30W(PinControl)  
f=175MHz,Idq=0.5A,Zg=50Ω  
Load VSWR=20:1(All Phase)  
No destroy  
Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.  
RD30HVF1  
10 Jan 2006  
MITSUBISHI ELECTRIC  
1/8  
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RD30HVF1-101 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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