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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> RBU807M-C
RBU807M-C PDF预览

RBU807M-C

更新时间： 2024-09-16 13:12:55
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 170K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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RBU807M-C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
其他特性：UL LISTED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RBU807M-C 数据手册

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RBU801M  
THRU  
RBU807M  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 8.0 Amperes  
FEATURES  
* Low leakage  
* Low forward voltage  
* Ideal for printed circuit boards  
* Surge overload rating: 200 amperes peak  
* Mounting position: Any  
* High forward surge current capability  
RBU  
MECHANICAL DATA  
UL listed the recognizde component dinrectory file # E252754  
*
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
Please See Page 3 for Dimension  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
O
MAXIMUM RATINGS (@ T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
RATINGS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
SYMBOL RBU801M RBU802M RBU803M RBU804M RBU805M RBU806M RBU807M  
UNITS  
V
V
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
RRM  
RMS  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
100  
1000  
DC  
O
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
Amps  
Amps  
at T = *75 oC (Note 4)  
8.0  
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
200  
FSM  
R
3.4  
26  
θ JC  
θ JA  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
0C/W  
0 C  
R
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J STG  
-55 to + 150  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T =25 C unless otherwise noted)  
A
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
RBU801M  
RBU805M RBU806M RBU807M  
RBU802M RBU803M RBU804M  
1.1  
UNITS  
Volts  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 8.0A DC  
V
F
@T = 25oC  
A
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
2.0  
I
R
uAmps  
@T = 125oC  
A
500  
NOTES : 1. Thermal Resistance : Heat-sink case mounted or if PCB mounted.  
2. "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
3. Equivalent to Vishay's GBU8 Series.  
2008-08  
4. "*" Heat Sink Temperature.  
1234

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与RBU807M-C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RBU807M-C-HF RECTRON

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 		暂无描述
RBUH2506M RECTRON

获取价格

 		Enhanced PowerBRIDGE RECTIFIER VOLTAGE 600 Volts CURRENT 25.0 Amperes
RBUT10-(2,5/4) PHOENIX

获取价格

 		Terminal Block Accessory
RBUT35-10 PHOENIX

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 		Terminal Block Accessory
RBV1000 SYNSEMI

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RBV1000 EIC

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RBV1000_05 EIC

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RBV10005 LGE

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 		Silicon Bridge Rectifiers
RBV1000D EIC

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RBV1000D_05 EIC

获取价格

 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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