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RBV1000D

更新时间： 2024-09-15 22:24:23
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2页 44K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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RBV1000D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.78
其他特性：HIGH RELIABILITY最小击穿电压：50 V
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：TS 16949
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RBV1000D 数据手册

 浏览型号RBV1000D的Datasheet PDF文件第2页 
SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
RBV1000D - RBV1010D  
RBV25  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 10 Amperes  
3.9 0.2  
±
C3  
30 0.3  
±
4.9 0.2  
±
3.2 0.1  
Æ
±
FEATURES :  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
+
* Low reverse current  
~ ~  
* Low forward voltage drop  
* High case dielectric strength of 2000 VDC  
* Ideal for printed circuit board  
* Very good heat dissipation  
1.0  
0.1  
±
MECHANICAL DATA :  
* Case : Reliable low cost construction  
utilizing molded plastic technique  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Terminals : Plated lead solderable per  
10  
7.5 7.5  
2.0 0.2  
±
0.2 0.2 0.2  
±
±
±
0.7 0.1  
±
Dimensions in millimeters  
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Any  
* Weight : 7.7 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
°
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
RBV  
RBV  
RBV  
RBV  
RBV  
RBV  
RBV  
SYMBOL  
UNIT  
RATING  
1000D 1001D 1002D 1004D 1006D 1008D 1010D  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
10  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Volts  
Volts  
Maximum RMS Voltage  
100  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
Volts  
Maximum Average Forward Current Tc = 55 C  
IF(AV)  
Amps.  
°
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Current Squared Time at t < 8.3 ms.  
300  
166  
1.0  
10  
IFSM  
I2t  
Amps.  
A2S  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 10 Amps.  
VF  
Volts  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Ta = 25 C  
IR  
A
m
°
200  
2.2  
Ta = 100 C  
IR(H)  
A
m
°
R JC  
q
C/W  
°
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
C
C
°
°
TSTG  
Notes :  
1. Thermal Resistance from junction to case w ith units mounted on a 3.2" x 3.2" x 0.12" (8.2cm.x 8.2cm.x 0.3cm.) Al.-Finned Plate.  
UPDATE : NOVEMBER 1,1998  
12

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