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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-CDIP-T14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 35 pF |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T14 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RBTQ3001N7 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 40V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| RBU1001M | RECTRON |
获取价格 |
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR |
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| RBU1001M_10 | RECTRON |
获取价格 |
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR |
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| RBU1001M_13 | RECTRON |
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SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
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| RBU1001M-C | RECTRON |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, RBU, 4 |
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| RBU1001M-C-HF | RECTRON |
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暂无描述 |
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| RBU1001M-HF | RECTRON |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 50V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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| RBU1001M-HF-B | RECTRON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| RBU1001M-HF-C | RECTRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, |
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| RBU1002M | RECTRON |
获取价格 |
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR |
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