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RB160L-90

更新时间： 2024-09-29 09:37:59

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	980K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB160L-90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	PMDS, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	95 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

RB160L-90 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB160L-90

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

Features

1)Small power mold type.（PMDS）

2) Low I_R.

3)High reliability

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

①

②

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

Construction

Silicon epitaxial planer

Structure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Mounting on epoxy board. 180°Half sine wave

Electrical characteristic(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.73

100

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

I_F=1.0A

V_R=90V

μA

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.A

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