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RB160L-90

更新时间: 2024-11-21 09:37:59
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 980K
描述
Schottky Barrier Diode

RB160L-90 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:PMDS, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.72其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:95 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

RB160L-90 数据手册

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Data Sheet  
Schottky Barrier Diode  
RB160L-90  
Applications  
Dimensions(Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
General rectification  
2.0  
2.6±0.2  
Features  
1)Small power mold type.PMDS)  
2) Low IR.  
4
6
3)High reliability  
0.1±0.02  
ꢀꢀꢀ 0.1  
PMDS  
2.0±0.2  
1.5±0.2  
Construction  
Silicon epitaxial planer  
Structure  
ROHM : PMDS  
JEDEC : SOD-106  
Manufacture Date  
Taping specifications(Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3  
φ1.55±0.05  
φ1.55  
2.9±0.1  
4.0±0.1  
2.8MAX  
Absolute maximum ratings(Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
95  
VR  
90  
V
Average rectified forward current  
Forward current surge peak (60Hz1cyc)  
Junction temperature  
1
30  
Io  
IFSM  
A
A
150  
Tj  
C  
C  
Storage temperature  
40 to 150  
Tstg  
(*1)Mounting on epoxy board. 180°Half sine wave  
Electrical characteristic(Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.73  
100  
Unit  
V
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
IF=1.0A  
VR=90V  
μA  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/3  
2011.04 - Rev.A  

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