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RB160M-30TR

更新时间： 2024-01-08 01:15:36
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 319K
描述
Schottky barrier diode

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RB160M-30TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：7.91
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.46 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

RB160M-30TR 数据手册

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Data Sheet  
Schottky barrier diode  
RB160M-30  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
General rectification  
0.1±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
1.6±0.1  
1.2  
Features  
1) Small power mold type. (PMDU)  
2) Low IR.  
3) High reliability  
Construction  
PMDU  
Silicon epitaxial planer  
Structure  
0.9±0.1  
0.8±0.1  
ROHM : PMDU  
JEDEC :SOD-123  
Manufacture Date  
Taping specifications (Unit : mm)  
0.25±0.05  
φ1.55±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
4.0±0.1  
φ1.0±0.1  
1.81±0.1  
1.5MAX  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
30  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
30  
V
1
30  
Average rectified forward current  
Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)  
Junction temperature  
Io  
A
IFSM  
Tj  
A
125  
C  
C  
Storage temperature  
40 to 125  
Tstg  
(*1)Mounted on epoxy board. 180° Half sine wave  
Electrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
0.39  
0.43  
3.0  
Max.  
0.46  
0.48  
20  
Unit  
V
-
-
-
-
IF=0.5A  
Forward voltage  
Reverse current  
VF2  
V
IF=1.0A  
VR=15V  
VR=30V  
IR1  
A  
A  
IR2  
50  
9.0  
www.rohm.com  
2011.04 - Rev.C  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/3  
1234

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