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RB160M-60TFTR

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	337K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM),

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RB160M-60TFTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.35
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	最大重复峰值反向电压：	60 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	Base Number Matches：	1

RB160M-60TFTR 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB160M-60

Applications

General rectification

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

1.2

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

Features

1)Small power mold type.（PMDU）

2)Low I_R

3)High reliability

PMDU

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

0.9±0.1

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

Taping specifications(Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave

Electrical characteristic(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

0.49

7.0

Max.

0.55

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

I_F=1.0A

Reverse current

μA

V_R=60V

Capacitance between terminals

V_R=10V , f=1MHz

www.rohm.com

1/3

2011.04 - Rev.E

12 3 4

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RB160M-60TFTR 替代型号

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